如果你需要购买磨粉机，而且区分不了雷蒙磨与球磨机的区别，那么下面让我来给你讲解一下： 雷蒙磨和球磨机外形差异较大，雷蒙磨高达威猛，球磨机敦实个头也不小，但是二者的工
随着社会经济的快速发展，矿石磨粉的需求量越来越大，传统的磨粉机已经不能满足生产的需要，为了满足生产需求，黎明重工加紧科研步伐，生产出了全自动智能化环保节能立式磨粉
.jpg)
2023年4月26日 近 10 年逐渐兴起，具备大带隙、大载流子漂移速率、大热导率和大击穿电场 四大特性，全面突破材料在高频、高压、高温等复杂条件下的应用极限， 适配 5G 通信、新能源汽车、智能物联网等新兴产业，对节能减排、产 业转型升级、催生新的经济增长点将
.jpg)
2024年8月26日 中国芯,中国造,中国装备!8月23日,记者从江苏通用半导体有限公司获悉,由该公司自主研发的国内首套的8英寸碳化硅晶锭激光全自动剥离设备已经正式
.jpg)
2021年7月5日 碳化硅衬底的主要制备工序为，将高纯的碳化硅粉在特殊温度下，采用物理气相传输法（PVT）生长不同尺寸的碳化硅晶锭，再经过切割、研磨等多道工序产出碳化硅衬底。
.jpg)
2023年11月12日 碳化硅晶体的制备有两大难点，其一是碳化硅晶棒生长速度慢，约2cm的晶棒需要710天的生长时间；其二是碳化硅晶体生长对各种参数要求高，需要精确控制硅碳比、生长温度梯度等参数，并且生长过程很难监控，对工艺要求非常高。 基于上述情况，如今碳化硅晶体制备难点更在于工艺而非设备本身，碳化硅长晶炉与传统硅晶有相同性，结
.jpg)
2023年4月25日 SiC产业环节及关键装备 11 SiC产业链环节 SiC器件产业链与传统半导体类似，一般分为单晶衬底、外延、芯片、封装、模组及应用环节，SiC单晶衬底环节通常涉及到高纯碳化硅粉体制备、单晶生长、晶体切割研磨和抛光等工序过程，完成向下游的衬底供货。 SiC外延环节则比较单一，主要完成在衬底上进行外延层的制备，采用外延层厚度作
.jpg)
碳化硅半导体产业链很长，为了促进行业交流和发展，艾邦新建碳化硅功率半导体产业链微信群，欢迎碳化硅前道材料与加工设备，后道器件生产和模块封装的行业朋友一起加入讨论，目前加入的企业有三安，晶盛电机，基本半导体，华润微，晶越，天科合达，天
.jpg)
2023年3月26日 在省重大科技成果转化项目“碳化硅衬底产业化关键技术研究”等的支持下，科友半导体解决了大尺寸碳化硅单晶制备易开裂、缺陷密度高、生长速率慢等技术难题，突破了碳化硅衬底产业化系列关键技术，完成了6英寸设备研制、生产线搭建、单晶衬底材料制
.jpg)
2024年3月18日 半导体设备的“核心力量”——碳化硅零部件 [导读] 碳化硅零部件广泛应用于外延生长设备、刻蚀设备、氧化/扩散/退火设备等主要半导体设备中。 中国粉体网讯 碳化硅（SiC）是一种性能优异的结构陶瓷材料。 碳化硅零部件 ，即以碳化硅及其复合材料为主要
.jpg)
东尼电子（）则在2022年8月的调研中回复，公司刚刚切换了碳化硅的生产路线，其碳化硅项目一直到2023年12月才能投产。 我们可以发现，当前A股的碳化硅标的，要不产能还停留在每个月几千片的水平，要不还在艰难的产能爬坡和提升良率之中，这个过程可能
.jpg)
2023年2月1日 导电型碳化硅功率器件主要是通过在导电型衬底上生长碳化硅外延层，得到碳化硅外延片后进一步加工制成，品种包括造肖特基二极管、 MOSFET、IGBT等，主要用于电动汽车、光伏发电、轨道交通、数据中心、充电等基础建设。
